三星电子、SK海力士和美光这三家领先的内存半导体公司预计将在今年分配35%的先进工艺晶圆用于生产高带宽存储器(HBM)。
5月20日，TrendForce集邦咨询报告称，前三大DRAM公司正在增加先进工艺的晶圆投入。
TrendForce集邦咨询进一步解释，这些内存公司正在通过增加下半年的设备投资来扩大产能(CAPA)。他们预计，到今年年底，用于10纳米级第四代(1a)纳米以上工艺的晶圆将占DRAM晶圆总投入的40%。
35%用于先进工艺的晶圆预计将用于HBM生产。HBM 的产量，即优质产品占总产量的比例，范围为 50% 至 60%。此外，根据TrendForce集邦咨询的数据，与传统DRAM相比，HBM需要的晶圆面积增加了60%，这解释了存储器行业晶圆输入的增加。
该公司还预测，“剩余的晶圆CAPA将分配给低功耗双倍数据速率(LPDDR)5X和双数据速率(DDR)5产品。
今年的主流HBM产品将是第五代HBM(HBM3E)，出货量主要集中在下半年。TrendForce集邦咨询指出：“SK海力士与美光合作，使用1b工艺向英伟达供应HBM3E，而三星电子则使用1a工艺，在第二季度完成认证，并将于年中开始交付。
TrendForce集邦咨询还提到，由于个人电脑、服务器和智能手机的内容容量不断增加，对先进制程CAPA的需求每季度都在增加。具体来说，服务器，尤其是人工智能服务器，“显示出最高的CAPA增长”。
内存旺季的到来预计将推动对 DDR5 和 LPDDR5-5X DRAM 的需求。DDR5 DRAM与Intel Sapphire Rapids、AMD Genoa等结合使用，预计到今年年底市场渗透率将超过50%。
然而，随着分配给HBM的晶圆比例的增加，基于先进工艺的通用产品的生产可能会受到限制。TrendForce集邦咨询警告：“如果随着HBM4的临近，不对扩大CAPA进行大量投资，优先考虑HBM可能会导致DRAM供应短缺。
